iPhone 18 标准版首秀：苹果 A20 芯片焊点图曝光，推测 5 核 GPU - 客户端下载
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IT之家 10 月 1 日消息，IT之家社区成员 @白饭炒白米饭 于昨日（9 月 30 日）发布了一则动态，展示了苹果 A20 标准版芯片的焊点图像，这颗芯片将用于 iPhone 18 标准版机型。
IT之家附上帖子原文内容：
现已获得 Apple A20 标准版芯片的焊点图，据此可进一步推测该芯片的规模。
1、制造工艺：由于与 A20 Pro 属于同一代，因此采用台积电 N2 工艺制造。
2、芯片面积：已知 A20 Pro 裸 Die 面积为 98.80mm²，而 A20 大约在 70～80mm²，比 A19 更小。
3、内存封装：从焊点图观察，A20 仍采用传统 PoP 封装，而非 A20 Pro 的 WMCM 封装，散热压力依然存在。
4、GPU 执行单元：对应背部电容位置 1，勉强能容纳 6 个核心，但考虑到 GPU 前端和 GPU 缓存也需要空间，因此 GPU 数量大概率仍为 5 核。结合历代标准版有频率限制的特点，A20 的 GPU 频率预计也会受限。
5、CPU 执行单元：对应背部电容位置 2 和 3，分别为两个大核和四个小核。预计大核共享 8MB L2 缓存，小核共享 4MB L2 缓存。考虑到端侧 AI 需求，SLC 可能从 A19 的 12MB 增至 16MB。
6、神经网络引擎：对应背部电容位置 4 和 5，为双 16 核神经网络引擎，配备专用 4MB 缓存。
7、内存控制器：对应背部电容位置 6 和 7。结合焊点图布局，Die 偏向左侧放置，右侧留出更多空间可能用于布线。因此，位置 6 对应一组 LPDDR 控制器，位置 7 对应两组，每组 32bit，合计 96bit。
将这些推测对应到焊点图后，如配图所示，A20 标准版芯片预计明年用于 iPhone 18，整体属于常规升级，性能释放不如 A20 Pro 激进，进一步拉大了 A 芯片标准版与 Pro 版的性能差距。
基于上述推测信息，IT之家制作了对比表格：
| 项目 | A20 Pro | A20（标准版） |
|---|---|---|
| 制造工艺 | 台积电 N2（2nm）GAA 纳米片 | 台积电 N2（2nm）GAA 纳米片 |
| 芯片裸 Die 面积 | 约 98.80 mm² | 约 70–80 mm²（推测） |
| 封装技术 | WMCM（晶圆级多芯片模块），内存与计算单元并排，利于散热 | 传统 PoP（Package-on-Package），内存叠在芯片上，存在散热压力挑战 |
| CPU 架构 | 6 核：2× 高性能核（S-core）+ 4× 能效核（E-core） | 6 核：2× 高性能核 + 4× 能效核（同代架构，频率/缓存可能略低） |
| CPU 缓存（L2） | 高性能核：约 16MB；能效核：约 8MB | 高性能核：约 8MB；能效核：约 4MB |
| 系统级缓存（SLC） | 约 36–48MB（大幅提升） | 约 12~16MB（A19 为 12MB，A20 可能小幅增加） |
| GPU 核心数 | 7 核 | 5 核（推测受布局与频率限制） |
| GPU 性能提升 | 相对 A19 Pro 提升约 40% | 有频率限制，整体弱于 Pro 升级幅度 |
| 神经网络引擎（NPU） | 32 核（双 16 核模块），FP16 约 44 TOPS、INT8 约 73 TOPS | 32 核（双 16 核），但专用缓存较小（约 4MB），整体算力略低 |
| 内存控制器/位宽 | 96-bit LPDDR5X，带宽约 115 GB/s（+50%） | 96-bit LPDDR5X（布局推测），但实际带宽与频率可能略低 |
| 散热设计 | 芯片直贴大面积 VC 均热板，封装利于导热；游戏/视频长时间负载更稳 | 依赖传统 PoP + 改进均热板，散热压力仍较大，持续高负载更易降频 |
| 典型搭载机型（预测） | iPhone 18 Pro / Pro Max / iPhone Duo 等高端机型 | iPhone 18 / iPhone 18e 等标准版机型 |
| 定位差异 | 旗舰级：更高 GPU/NPU/缓存、更强持续性能释放，面向高负载游戏、AI、创作 | 主流级：常规升级，性能足够日常与中度使用，但与 Pro 差距进一步拉大 |
